氧化镓拥有优异的耐高压特性、导通损耗和抗辐照能力，是高压大功率电力电子器件的理想材料，在新能源汽车、储能系统、智能电网、AI数据中心、6G通信等战略性新兴领域拥有不可替代的应用价值，大尺寸衬底技术是全球氧化镓产业化的重要瓶颈。
6月25-27日，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办的“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)”将于上海举办。中国科学院上海光学精密机械研究所研究员、杭州光学精密机械研究所所长、杭州富加镓业科技有限公司董事长齐红基受邀将出席论坛，并带来《面向功率器件的12寸氧化镓单晶技术及产业化》的主题报告，分享最新突破与产业化进展。
富加镓业是国内氧化镓赛道的代表性企业，已建成了6英寸氧化镓单晶及外延片生长线，产品批量供应国内外多家头部科研机构和器件厂商。今年3月其正式宣布首次成功制备出12英寸氧化镓单晶，继2025年12月团队攻克8英寸氧化镓晶体技术后，再次取得里程碑式突破，实现大尺寸衬底的技术跨越。齐红基深耕半导体材料领域多年，带领团队探索“算法+数据+基地”的成果转化新模式，帮助团队快速攻克核心技术难题，推动技术成果从实验室走向产业化。报告将不仅分享12英寸氧化镓单晶技术，还将深入探讨氧化镓功率器件产业未来的发展趋势。精彩内容，敬请关注！
嘉宾简介
齐红基，现任中国科学院上海光学精密机械研究所研究员、杭州光学精密机械研究所所长、杭州富加镓业科技有限公司董事长、科技部重点研发计划首席专家，兼任中国光学学会光学材料专业委员会秘书长、浙江省光学学会理事、中国稀土学会晶体材料分会理事、中国有色金属学会宽禁带半导体专业分会理事及亚洲氧化镓联盟理事，长期从事超宽禁带半导体氧化镓材料相关研究。作为材料领域的科技领军人才，他主持国家级科研项目20余项，发表SCI论文150余篇，授权发明专利近百项，其中包含美国、日本、俄罗斯等国际授权专利16项。因在科研创新与成果转化方面的突出贡献，先后获得军队科技进步奖、安徽省科学技术奖和上海市科学技术奖，并于2024年入选杭州市政府特殊津贴专家，同年获得杭州市科技成果转移转化首选地构筑工作个人嘉奖。
一、组织机构
指导单位：
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
极智半导体产业网
第三代半导体产业
承办单位：
集成电路材料全国重点实验室
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
学术协办：
电子科技大学
南京邮电大学
协办支持：
上海芯钬量子科技有限公司
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
深圳麦科信科技有限公司
COMSOL 中国
杭州芯创德半导体有限公司
北京昕感科技集团有限责任公司
索相科技（上海）有限公司
杭州富加镓业科技有限公司
大会主席：狄增峰
联合主席：张波、吴伟东、程新红、郭宇锋、赵璐冰
程序委员会委员：陈敬、张进成、柏松、唐为华、罗小蓉、张清纯、万玉喜、龙世兵、王来利、谢自力、杨媛、张宇昊、杨树、刘斯扬、欧欣、章文通、陈敦军、耿博、郭清、蔡志匡、梁瑶、刘雯、邓小川、魏进、周琦、周弘、叶怀宇、张龙、包琦龙、金锐、姚佳飞、蒋其梦、明鑫、周春华、郑理、沈玲燕、张薇葭、黄森等
组织委员会：
主任：郑理
副主任：涂长峰、周学通、徐光伟、刘盼、魏杰
委员：周峰、王珩宇、杨可萌、张珺、罗鹏、刘成、刘宇、张茂林、任开琳、王谦、张栋梁、刘晓博、王鹏、陈龙、李成、康俊杰、崔潆心、李道会、贾欣龙等
二、主题&征文方向
1.S1-硅基功率器件与集成技术
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术；
2.S2-碳化硅功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
3.G1-氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
4.G2-氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
5.P1-模组封装与应用技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性；
6.P2-面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术、制造、封装、检测及测试设备等；
7.P3-功率器件交叉领域及EDA
基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试。
三、会议日程
四、会议嘉宾（部分）
五、拟邀参会单位
中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学、上海大学等
六、优秀功率半导体产品征集
为进一步推动我国功率半导体与集成电路领域学术研究与产业应用深度融合，促进前沿技术与市场需求高效对接，搭建优秀产品展示与交流平台，强化产业链上下游协同联动，完善产业生态建设，打造引领我国功率半导体器件与集成电路技术创新与产业高质量发展的标杆平台。2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）将于6月25-27日在上海举办。经大会组委会研究决定，正式启动 “CSPSD 2026 优秀功率半导体产品征集活动”。参加申报的单位按照征集要求在2026年6月10日前在线填写并提交申报表单。复制链接至浏览器打开→https://my.feishu.cn/share/base/form/shrcnd8iii0q044GxL7mnxBHQRb
七、注册报名
1.注册及权益：注册费2800元，5月30日前注册报名2500元（含会议资料袋，6月26日午餐、欢迎晚宴、27日自助午餐）。
对公汇款：
账户名称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
开户银行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
2.在线报名
·扫码注册
扫码注册报名
·注册网址：（请复制链接至浏览器打开）https://forum.casicon.cn/e/4/checkout/create#order_form
·点击阅读原文：点击文末“阅读原文”直接跳转至→报名链接，完成报名。
八、联系咨询
1.论文投稿
·投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。
·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：
CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf
2.投稿&报告咨询：
郑老师 15618636853，zhengli@mail.sim.ac.cn
贾老师 18310277858，jiaxl@casmita.com
李老师 18601994986，linan@casmita.com
征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn
3.赞助、展示及商务合作
贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411，vivi@casmita.com
4.报名咨询：
芦老师：13601372457，luli@casmita.com
