近日，杭州富加镓业科技有限公司（简称“富加镓业”）自主研发生产的VB法（坩埚下降法）晶体生长装备在客户现场首炉次生长即获得完整氧化镓单晶，顺利通过客户验收并正式交付使用，充分彰显公司在氧化镓晶体生长装备产业化方面的硬核实力。
客户现场首炉次生长获得的氧化镓单晶
富加镓业于2023年在国内率先开启VB法氧化镓单晶生长技术研究。2025年9月，在国内率先实现6英寸单晶突破；2025年12月及2026年3月，在国际上率先实现了8英寸和12英寸VB法氧化镓单晶的生长突破，刷新全球氧化镓单晶尺寸的最高纪录。公司始终坚持装备研发与材料生长双轮驱动的发展战略，基于深厚的技术积累和长期工艺实践，自主研发出专用于超宽禁带半导体材料氧化镓生长的VB法晶体生长装备及EFG法（导模法）晶体生长装备，此次VB法晶体生长装备的顺利交付，再一次彰显公司在氧化镓晶体生长装备产业化方面的硬核实力。
氧化镓VB法晶体生长装备
氧化镓EFG法 “一键长晶”晶体生长装备
富加镓业成立于2019年底，是中国最早投身于氧化镓材料产业化的先行者，也是目前业界领先的氧化镓材料及装备供应商。在装备领域，已获授权专利38项，其中国际专利9项。公司被评为2026年杭州"准独角兽企业"，建设了我国首条万片级高质量氧化镓衬底产线，目前正牵头起草氧化镓领域首个国家标准。公司在装备及材料领域的系列重要成果，获得中央电视台、《人民日报》、新华网等媒体的关注和专题报道。
未来，富加镓业将继续秉持"让世界用上好材料"的企业使命，持续深化与高校、科研机构及下游企业的合作，以高品质材料与装备助力第四代半导体产业的高质量发展。
产品介绍
氧化镓设备：
公司研制了国际上首台具备“一键长晶”功能的EFG设备，可以满足2-8英寸晶体生长需求，目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可提供设备及配套工艺包。公司自行研制了全自动 VB 晶体生长设备，并在国内率先突破了12英寸单晶生长技术瓶颈，实现了大尺寸 VB 法单晶制备。目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可根据客户需求提供VB设备及工艺包。
氧化镓单晶衬底：
作为中国最早投身氧化镓单晶生长研究的先行者与业界领先的供应商，我们致力于为全球客户提供卓越的氧化镓单晶衬底。我们的产品线覆盖2-8英寸26种常规性氧化镓衬底产品，并能够提供尺寸，电学性能与晶向的定制化方案，满足高质量外延片研发及批量制备需求。
氧化镓外延片：
基于成熟的 MOCVD（金属有机化学气相沉积）与 MBE（分子束外延）技术平台，我们的产品线覆盖 2-6 英寸等15种常规性氧化镓外延片产品，及定制化 MBE 氧化镓外延片产品，为客户提供 “衬底-外延”一体化解决方案。外延层生长过程采用精准的工艺控制体系，可根据客户需求定制外延层厚度、掺杂浓度、组分均匀性等关键参数，能够满足不同功率等级、不同功能类型的器件研发与生产需求。
企业简介
杭州富加镓业科技有限公司
公司成立于2019年12月31日，公司以“让世界用上好材料”为愿景，开展超宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD/MBE 外延片、布里奇曼法（VB法）及导模法(EFG法)晶体生长装备等，为材料研制提供系统性解决方案，加速超宽禁带氧化镓产业全链路贯通，推进氧化镓材料在功率器件、微波射频器件及光电探测等领域应用。公司在氧化镓领域发展方面取得的系列重要成果已获CCTV、《人民日报》、新华网、《中国证券报》、澎湃新闻等知名媒体专题宣传报道。企业荣誉汇总： 2022年获得浙江省科技型中小企业；2023年获得国家高新技术企业；2024年获得杭州市企业高新技术研发中心及浙江省专精特新中小企业；2025年获得 ISO9001质量体系认证（编号：20225Q20294R0M）；2024年度杭州市“新雏鹰”企业；在氧化镓领域，正牵头起草氧化镓领域首个国家标准，并承担了国家发改委项目1项，国家工信部项目1项，参与了国家自然科学基金委、浙江省、上海市等国家及省部级项目3项。另外，获得国际专利授权14项（美国 6 项，日本7项，欧洲1项），国内专利授权42项，“富加镓业”商标认证注册3项，软件着作权（“一键长晶”控制软件）5项。
