随着新能源、快充电源、服务器电源、光伏逆变器及工业电机驱动等应用对功率系统效率与功率密度的要求持续提升，碳化硅（SiC）功率器件凭借其优异的材料特性正成为行业关注的焦点。
近日，龙腾半导体正式推出5款650V SiC MOSFET新品，电流等级覆盖7A~20A，导通电阻范围为180mΩ~600mΩ。该系列产品采用高兼容性的TO-252表面贴装封装，兼顾优异散热性能与小型化设计，专为空间受限、性能要求严苛的应用场景打造，为高性能电源系统提供更优选择。
产品特性·
高频、低导通电阻，提高电源转换效率；
开关速度快，助力高功率密度电源小型化；
高阈值电压，抗干扰能力强。
产品系列
LCG065R180LA4
LCG065R260LA4
LCG065R340LA4
LCG065R480LA4
LCG065R600LA4
推荐应用
LED驱动电源，TV电源，PD充电器，适配器
市场意义
该系列新品具备更高的临界击穿场强、更宽的禁带宽度以及更高的热导率，这些优异特性使其在高温条件下展现出更稳定的导通电阻和更低的开关损耗，从而形成显著的应用优势。
龙腾半导体本次推出的TO-252封装650V SiC MOSFET系列，丰富了中小功率应用中高性价比SiC器件的可选范围。客户无需更改现有TO-252 PCB焊盘设计，即可实现性能升级，有助于缩短开发周期并降低系统成本。
（来源：龙腾半导体）
