随着新能源汽车800V高压平台渗透率快速提升，叠加AI数据中心爆发式增长带来的高压电源需求激增，SiC凭借耐高压、低损耗、耐高温的先天优势，已经从新能源领域的“可选材料”转变为支撑产业升级的“必选核心”，行业需求呈现新能源与AI双轮驱动的增长态势。国内厂商已经在衬底、器件等环节实现强势突围，产能利用率持续攀升，全球市场话语权不断提升。SiC基GaN射频芯片技术，是当前支撑5G/6G通信、雷达等高端应用领域自主化突破的关键方向，SiC衬底搭配GaN异质结构的组合，兼具SiC的高导热性与GaN的高频特性，成为高功率射频器件的优选方案，在中高频通信领域具备广阔的应用前景。
6月25-27日，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办的“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)”将于上海举办。北京国联万众半导体科技有限公司产品开发部高级经理王帅受邀将出席会议，并带来《SiC电力电子技术及SiC基GaN射频芯片技术进展》的主题报告，分享最新进展。
基于SiC衬底的GaN射频芯片与SiC功率芯片，在微波及电力电子技术领域发挥重要作用，微波方面，广泛应用在通信、干扰、加热、电子战等领域。电力电子方面，在新能源汽车，风光储能，感应加热等领域已实现批量应用。国联万众作为国内SiC基GaN的重要供应商，在以上领域已有全面布局，并已实现大批量供货。公司制定了明确的工艺演进方向，从材料结构设计到芯片设计、测试筛选都有丰富的研发设计和量产供货经验。报告将结合结合国联万众的技术实践，SiC电力电子技术的当前发展现状，剖析SiC基GaN射频芯片的最新技术进展，探讨行业未来的技术迭代方向与产业化落地路径，为与会者带来兼具产业参考价值与技术前瞻性的分享。详情内容，敬请关注！
公司简介
北京国联万众半导体科技有限公司成立于2015年，是中国电科产业基础研究院（中电十三所）下属上市公司“中瓷电子：003031”的全资子公司，是国家第三代半导体创新技术中心(北京)主要建设和运营主体单位。公司主营业务为第三代半导体芯片设计、生产与销售，以及第三代半导体封装、模块、科技服务等业务。主导产品氮化镓(GaN)射频功放芯片技术水平达到国际领先，已得到国际主流通信公司大规模应用，累积出货3亿只；碳化硅(SiC)产品采用6-8寸晶圆工艺， SBD和MOSFET电力电子芯片及模块技术水平达到国内领先，已得到国内主流新能源汽车、充电桩企业大规模应用，累积出货1亿只。
一、组织机构
指导单位：
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
极智半导体产业网
第三代半导体产业
承办单位：
集成电路材料全国重点实验室
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
学术协办：
电子科技大学
南京邮电大学
协办支持：
上海芯钬量子科技有限公司
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
深圳麦科信科技有限公司
COMSOL 中国
杭州芯创德半导体有限公司
北京国联万众半导体科技有限公司
北京昕感科技集团有限责任公司
索相科技（上海）有限公司
杭州富加镓业科技有限公司
清纯半导体(宁波)有限公司
杭州国磊半导体设备有限公司
大会主席：狄增峰
联合主席：张波、吴伟东、程新红、郭宇锋、赵璐冰
程序委员会委员：陈敬、张进成、柏松、唐为华、罗小蓉、张清纯、万玉喜、龙世兵、王来利、谢自力、杨媛、张宇昊、杨树、刘斯扬、欧欣、章文通、陈敦军、耿博、郭清、蔡志匡、梁瑶、刘雯、邓小川、魏进、周琦、周弘、叶怀宇、张龙、包琦龙、金锐、姚佳飞、蒋其梦、明鑫、周春华、郑理、沈玲燕、张薇葭、黄森等
组织委员会：
主任：郑理
副主任：涂长峰、周学通、徐光伟、刘盼、魏杰
委员：周峰、王珩宇、杨可萌、张珺、罗鹏、刘成、刘宇、张茂林、任开琳、王谦、张栋梁、刘晓博、王鹏、陈龙、李成、康俊杰、崔潆心、李道会、贾欣龙等
二、主题&征文方向
1.S1-硅基功率器件与集成技术
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术；
2.S2-碳化硅功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
3.G1-氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
4.G2-氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
5.P1-模组封装与应用技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性；
6.P2-面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术、制造、封装、检测及测试设备等；
7.P3-功率器件交叉领域及EDA
基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试。
三、会议日程
四、会议嘉宾（部分）
五、拟邀参会单位
中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学、上海大学等
六、优秀功率半导体产品征集
为进一步推动我国功率半导体与集成电路领域学术研究与产业应用深度融合，促进前沿技术与市场需求高效对接，搭建优秀产品展示与交流平台，强化产业链上下游协同联动，完善产业生态建设，打造引领我国功率半导体器件与集成电路技术创新与产业高质量发展的标杆平台。2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）将于6月25-27日在上海举办。经大会组委会研究决定，正式启动 “CSPSD 2026 优秀功率半导体产品征集活动”。参加申报的单位按照征集要求在2026年6月10日前在线填写并提交申报表单。复制链接至浏览器打开→https://my.feishu.cn/share/base/form/shrcnd8iii0q044GxL7mnxBHQRb
七、注册报名
1.注册及权益：注册费2800元，5月30日前注册报名2500元（含会议资料袋，6月26日午餐、欢迎晚宴、27日自助午餐）。
对公汇款：
账户名称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
开户银行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
2.在线报名
·扫码注册
扫码注册报名
·注册网址：（请复制链接至浏览器打开）https://forum.casicon.cn/e/4/checkout/create#order_form
·点击阅读原文：点击文末“阅读原文”直接跳转至→报名链接，完成报名。
八、联系咨询
1.论文投稿
·投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。
·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：
CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf
2.投稿&报告咨询：
郑老师 15618636853，zhengli@mail.sim.ac.cn
贾老师 18310277858，jiaxl@casmita.com
李老师 18601994986，linan@casmita.com
征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn
3.赞助、展示及商务合作
贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411，vivi@casmita.com
4.报名咨询：
芦老师：13601372457，luli@casmita.com
