近日，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）发布《碳化硅晶锭激光剥离设备通用技术规范》、《氢燃料电池车用碳化硅DC/DC变换器性能测试方法》、《半导体功率器件、模块高浓度硫化氢试验方法》三项标准征求意见。目前正式面向联盟成员单位征求意见，征求意见稿已经由秘书处邮件发送至联盟成员单位；非联盟成员单位如有需要，可发邮件至casas@casa-china.cn。详情如下：
标准 | 《碳化硅晶锭激光剥离设备通用技术规范》征求意见
2026年6月5日，由中国电子科技集团公司第二研究所牵头起草的技术标准T/CASAS 073—202X《碳化硅晶锭激光剥离设备通用技术规范》已完成征求意见稿的编制。根据联盟标准化工作管理办法，正式面向联盟成员单位征求意见，2026年6月5日起开始征求意见，截止日期2026年7月4日。
随着宽禁带半导体产业的快速发展，产业界对大尺寸碳化硅晶圆衬底低成本、高效率、高质量加工制造的需求日益增长，而碳化硅材料极高的硬度和脆性特性，给晶体加工带来了巨大挑战。传统碳化硅晶锭切片主要采用金刚石线锯切割技术，该技术存在材料损耗大、加工效率低、切割表面/亚表面损伤层深等技术痛点。激光剥离技术凭借非接触式加工、高灵活性、低材料损耗、高加工效率等优势，逐渐成为碳化硅晶体切片领域的重要技术方向，其通过高能激光在晶体内部形成深度可控的改质层，诱导材料分离，可显着降低材料损耗、提升加工效率与产品质量，为碳化硅晶体加工提供了高效可行的解决方案。
T/CASAS 073—202X《碳化硅晶锭激光剥离设备通用技术规范》规定了碳化硅（SiC）晶锭激光剥离设备（以下简称“设备”）的组成和功能、工作条件、加工对象、技术要求、证实方法、标志、包装、运输和贮存。
本文件对设备的设计、制造、检验、验收及使用维护提供技术依据。金刚石、氮化镓、氧化镓等材料激光剥离设备可参照使用。
标准|《氢燃料电池车用碳化硅DC/DC变换器性能测试方法》征求意见
2026年6月1日，由深圳青铜剑科技股份有限公司牵头起草的技术标准T/CASAS 071—202X《氢燃料电池车用碳化硅DC/DC变换器性能测试方法》已完成征求意见稿的编制。根据联盟标准化工作管理办法，正式面向联盟成员单位征求意见，2026年6月1日起开始征求意见，截止日期2026年6月30日。
T/CASAS 071—202X《氢燃料电池车用碳化硅DC/DC变换器性能测试方法》规定了氢燃料电池车用碳化硅（SiC）DC/DC变换器的测试条件、测试设备要求、测试方法以及测试结果分析与报告。适用于氢燃料电池乘用车及商用车用、采用碳化硅（SiC）功率器件的单向或双向DC/DC变换器。本文件不适用于固定式发电系统等非车载应用场景。本文件测试参数示例主要针对当前主流高压平台及大功率应用（如30 kW～200 kW，输入约250 V～450 V，输出约550 V～800 V），其它参数等级可参照执行。
青铜剑科技集团由清华大学和剑桥大学博士团队创办于2009年，旗下设有基本半导体、青铜剑技术、青铜剑能源科技、英博国际创新等公司，业务涵盖第三代半导体芯片、高端电力电子装置、海外投资孵化三大领域。集团总部位于深圳，在北京、上海、南京、青岛、香港、英国剑桥、瑞典斯德哥尔摩、日本名古屋设有分支机构。
青铜剑于2019年入选“深圳创新企业70强”，参与发起广东省未来通信高端器件创新中心、深圳第三代半导体研究院，与深圳清华大学研究院共建第三代半导体研发中心，获批广东省大功率电力电子核心器件与高端装备工程技术研究中心，产品荣获“中国芯”优秀技术创新产品奖、中国专利优秀奖、深圳市专利奖等奖项。
标准 | 《半导体功率器件、模块高浓度硫化氢试验方法》征求意见
2026年6月1日，由上海临港车规半导体研究有限公司、复旦大学宁波研究院联合牵头起草的技术标准T/CASAS 072—202X《半导体功率器件、模块高浓度硫化氢试验方法》已完成征求意见稿的编制。根据联盟标准化工作管理办法，正式面向联盟成员单位征求意见，2026年6月1日起开始征求意见，截止日期2026年6月30日。
T/CASAS 072—202X《半导体功率器件、模块高浓度硫化氢试验方法》描述了半导体功率器件/模组高浓度硫化氢试验方法，包括：试验条件、试验装置、试验程序以及失效判据。适用范围：功率器件/模块（涵盖碳化硅、氮化镓、硅等工艺）。
【上海临港车规半导体研究院】
上海临港车规半导体研究院是落地临港服务临港的优质车规半导体科技创新功能性平台，我们车规研究院科创平台总体目标是推动上海临港新片区向世界级“东方芯都”迈进并同时促进临港、长三角乃至全国车规半导体全产业链创新合作共同发展的科技创新型平台提高中国车规芯片设计、制造、封装以及测试认证综合能力，提升车规级芯片国产化比率。通过创新式、开放式平台化运作模式以及优秀团队共同携手前行，协同国际与国内车规半导体芯片和新能源汽车用户领域的各类优势资源合作，吸纳、聚集和培育经营性优质人才、技术引领性创新的人才，努力突破车规半导体实验检测认证、先进芯片设计、前瞻性封装技术以及设备、材料以及车规应用等等共性与特性关键技术，形成车规半导体的创新平台，车规芯片新技术实践基地，以及为临港产业招商与临港孵化车规半导体创业乐园，计划逐步在2025年成为行业知名车规半导体科技创新功能性平台，行业第三方重点实验室以及临港产业招商与高质量孵化器，以上下游产业优质资源、技术与人才、金融投融资资源以及当地政策，赋能低空经济领域、车规半导体行业民营公司和小微企业，培养优质企业家组建经营联盟，逐渐让我们研究院孵化企业成为国内外特定赛道领衔明星企业且具备将来上市能力。
【复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所】
复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所聚焦宽禁带半导体器件设计、工艺开发、封装及可靠性关键技术。研究所总投资约4.6亿，打造国际一流的碳化硅功率器件、封装和测试平台，解决面向下一代、面向产业化的关键问题。研究所目前建有实验室4640 m2，其中百级无尘室440m2，千级无尘室100m2，万级无尘室2200m2，十万级无尘室1000m2，其他辅助面900 m2。另有办公面积1400 m2及功能区787 m2。自2022年以来，陆续获批纵向项目包括国家自然科学基金青年基金、中国博士后科学基金面上资助、浙江省“领雁”项目、浙江省博士后基金、宁波市科技重大专项等。发表论文91篇，专利申请20项，授权2项
