近日，山东晶镓半导体有限公司成功受让山东大学 “高质量氮化铝单晶衬底制备技术”，标志着国产超宽禁带半导体核心材料产业化取得重要突破。项目流程规范、技术产权明晰，具备全面产业化落地条件，此次技术落地，成为我国超宽禁带半导体关键材料国产化进程中的标志性里程碑。
氮化铝（AlN）单晶衬底是新一代超宽禁带半导体器件的关键基础材料，凭借优异的导热、绝缘及耐候性能，广泛应用于高功率微波器件、电力功率器件、高端光电芯片等领域，覆盖5G通信、新能源、高端装备、航空航天等战略性新兴产业。长期以来，国内高品质氮化铝单晶衬底量产能力不足，原料纯度低、晶体扩径难、精密加工精度差、生长设备兼容性弱等瓶颈导致高端产品高度依赖进口，成为掣肘我国超宽禁带半导体产业链自主安全发展的关键短板。
立足国内外产业刚需，攻坚克难解决技术难题，山东大学新一代半导体材料集成攻关大平台张雷教授团队聚焦行业卡脖子难题深耕技术攻关，自主定制晶体生长设备与配套热场控制系统，接连攻克高纯原料精制、杂相多晶剔除、晶体形核结构改良、衬底片高精度抛光等一系列关键工艺，搭建起全覆盖自主专利体系。依托自研技术生产的 AlN 单晶大幅削减晶体内部残余应力，衬底片型平整度、晶体品质大幅提升，各项性能参数，满足下游芯片外延生产工艺的高标准需求，具备成熟的产业化转化条件。
受让方晶镓半导体，此前已实现氮化镓（GaN）衬底全链条自研落地与规模化量产，坐拥完整 GaN 自主知识产权。本次成功引入山东大学氮化铝（AlN）单晶衬底材料制备技术，意味着企业同时掌握半导体两大核心衬底材料自研技术，成为全球范围内唯一同时具备 GaN、AlN 全套自主知识产权的衬底生产厂商，独家技术壁垒夯实企业全球化竞争底气，也为国内半导体供应链自主可控筑牢关键一环。
本次产学研技术落地，是晶镓半导体补齐产品矩阵、完善核心衬底材料产业布局的重要一环。后续企业将加速氮化铝（AlN）产线搭建、工艺调试与量产爬坡，稳步推进氮化铝（AlN）单晶衬底规模化投产；同步迭代优化现有 GaN 量产工艺，推动两大核心半导体材料协同研发、产能互补。展望未来，晶镓半导体将凭借独家双材料自主技术优势，持续冲击海外厂商长期垄断格局，助推国内高端半导体材料全面国产替代提速。
值得关注的是，6月25-27日，山东大学教授、山东晶镓董事长张雷受邀将出席“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)”，并带来《大尺寸高质量氮化物（氮化镓、氮化铝）单晶衬底研发及产业化进展》的主题报告，分享在氮化物衬底领域从基础研究到量产落地的研究成果，探讨国产大尺寸氮化物衬底的破局路径。诚邀业界同仁莅临CSPSD2026现场，探讨交流、洽谈合作！
