2026 年 6 月 2 日，中铝乾星（成都）科技有限责任公司（简称 “中铝乾星”）正式公示 “2026 年新建大尺寸先进化合物半导体衬底及高纯材料中试平台项目” 环评征求意见稿。该项目总投资 3500 万元，将聚焦 6 英寸级别化合物半导体衬底与高纯金属材料中试关键技术突破，建成后可填补国内相关领域技术空白，标志着中铝乾星在高端半导体材料赛道的布局进入实质落地阶段。
项目选址成都新材料产业化工园区，计划 2026 年 12 月建成投产，由中铝科学院协同中铝乾星联合打造，是中铝集团打通 “基础资源 — 核心材料 — 高端器件” 全链条的关键布局。依托园区完善的产业配套与区位优势，项目将构建从高纯金属到化合物半导体衬底的垂直中试体系，重点突破 6 英寸锑化镓、磷化铟、氧化镓衬底及高纯硒、碲、镉制备核心技术。
根据规划，项目达产后将形成规模化中试能力：化合物半导体衬底方面，年产 6 英寸锑化镓 6000 片、磷化铟 6000 片、氧化镓 500 片；高纯金属材料方面，年产高纯硒、高纯碲、高纯镉各 500 公斤。其中，锑化镓、磷化铟是红外光电器件、高频通信芯片的核心衬底，氧化镓作为超宽禁带半导体材料，在高压功率器件领域应用前景广阔；高纯金属则是保障衬底及靶材性能与良率的核心原料，长期依赖进口制约国内产业发展。
作为中铝集团旗下专注稀有稀散金属高值化的核心平台，中铝乾星由中铝集团、驰宏锌锗等联合设立，定位 “资源化、高纯化、化合化、器件化” 全链条发展。此次中试平台落地，将加速上述关键材料国产化替代进程，提升国内高纯金属与化合物半导体衬底的自主保障能力，降低产业链对外依存度。
项目建成后，将为下游光电子、微电子、新能源及军工等产业提供关键材料支撑，助力四川打造国内领先的半导体材料创新高地。中铝乾星表示，后续将以该中试平台为核心，持续加大研发投入，优化 6 英寸衬底工艺与成本，为更大尺寸、更高性能产品量产积累经验，进一步巩固公司在先进半导体材料领域的核心竞争力，服务国家战略需求。
