当前，新能源汽车、智能电网、轨道交通等高压应用场景进入爆发式增长期，市场对高耐压、低损耗功率半导体的需求正在冲破天际。作为超宽禁带半导体的核心代表，氧化镓凭借低导通损耗、高击穿电场的先天优势，被认为是下一代高压功率电子的战略材料，成为全球半导体赛道竞争的新焦点。
氧化镓作为我国在半导体领域实现弯道超车的重要赛道，已经迎来了政策与资本的双重加持，产能建设加速推进。从实验室走向量产，氧化镓的每一步都牵动着行业神经。近年来，国内氧化镓领域突破不断：杭州镓仁首创铸造法生长技术推出全球首发8英寸氧化镓单晶衬底；富加镓业实现厚度超过10微米的同质外延薄膜生长；深圳平湖实验室研制出超万伏耐压的Mg掺杂氧化镓光导开关；三安光电联合西安电子科技大学与杭州镓仁，成功攻克氧化镓同质外延的孪晶缺陷难题，在2英寸衬底上获得高质量同质外延层，让行业看到了规模化商用的清晰方向。但氧化镓产业化仍待破局，大尺寸晶体制备难度高、同质外延缺陷控制难、p型掺杂技术瓶颈尚未完全突破、成本居高不下等共性问题，既带来了挑战，也蕴藏着全新机遇。
6月25-27日，2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）将在上海召开。会议将聚焦行业核心痛点与技术前沿，涵盖碳化硅、氮化镓宽为代表的禁带半导体材料、高低压电力电子器件、功率集成电路、先进封装，以及以氧化镓（Ga₂O₃）为代表的超宽禁带器件等核心主题，覆盖晶圆制造、芯片设计加工、模块封装、测试分析、EDA软件、设备制造、整机应用等全产业链环节。其中，本次会议特别聚焦氧化镓领域最新进展，设置多场重磅主题报告，覆盖从基础研究、技术突破到产业化落地的全链条议题，汇聚产学研用合力，共议共性技术难题，破解氧化镓产业化密码，抢占超宽禁带半导体发展先机。
深度解码关键技术到商业落地
本次会议直击产业核心环节，覆盖氧化镓产业化的完整链路，将深度解码从关键技术到商业落地。材料端突破，从12英寸单晶到6英寸商用外延片，探讨降本增效、提升质量的产业化核心。器件端创新，横向与垂直器件并举，从kV级耐压、安培级电流到吉赫兹频率，全方位展示性能边界拓展；可靠性攻坚，围绕电场调控、终端保护、异质集成与先进封装，集中研讨提升器件可靠性、解决散热难题的系统性方案；应用与商业化闭环，结合具体电源应用案例与商业化路径分析，推动技术价值向市场价值转化。探讨产业链协同降本、下游场景落地的路径与机遇。
硬核议题全覆盖，强大阵容共话未来
目前已确认多位重量级讲者带来氧化镓主题的重磅分享。杭州光学精密机械研究所所长 杭州富加镓业科技有限公司董事长齐红基，杭州镓仁半导体有限公司联合创始人、董事江继伟，厦门大学教授杨伟锋，中国科学技术大学特任教授徐光伟，九峰山实验室高级工程师彭若诗，西安电子科技大学教授周弘，中山大学教授卢星，中电科五十五所吴飞宏，中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员徐文慧，香港大学博士后研究员巩贺贺，杭州芯创德半导体有限公司总经理刘少煜等嘉宾将从材料生长、器件设计、集成技术到商业化前瞻等维度，带来最前沿的思考与实践。
除此之外，围绕衬底生长、外延工艺、器件设计、装备国产化、应用落地等核心方向，一批来自国家级科研院所、头部企业、高校团队的专家学者也将带来最新研究成果，覆盖从基础研究到产业应用的完整交流体系。更多报告持续确认中，敬请期待！
除了干货满满的主题分享，本次会议还设置了展览展示、闭门对接、参观考察等多元环节，为上下游企业搭建高效对接平台，从技术交流到项目合作，一站式打通产业协同链路。
氧化镓的产业化号角已经吹响，但将实验室的卓越性能转化为稳定可靠的商业化产品，仍需产业链上下游通力协作，攻克材料一致性、器件可靠性、成本控制与应用验证等系列挑战。CSPSD 2026诚挚邀请氧化镓领域的科研先锋、产业从业者、投资机构与投资界人士齐聚上海，共话技术前沿，同谋产业未来，共同推动我国超宽禁带半导体产业高质量创新升级，抢占全球氧化镓产业发展的战略制高点。期待与您共赴行业盛会！
一、组织机构
指导单位：
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
极智半导体产业网
第三代半导体产业
承办单位：
集成电路材料全国重点实验室
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
学术协办：
电子科技大学
南京邮电大学
大会主席：狄增峰
联合主席：张波、吴伟东、程新红、赵璐冰
程序委员会委员：陈敬、张进成、柏松、唐为华、罗小蓉、张清纯、万玉喜、龙世兵、王来利、杨媛、张宇昊、杨树、刘斯扬、欧欣、章文通、陈敦军、耿博、郭清、蔡志匡、梁瑶、刘雯、邓小川、魏进、周琦、周弘、叶怀宇、张龙、包琦龙、金锐、姚佳飞、蒋其梦、明鑫、周春华、郑理、沈玲燕、张薇葭、黄森等
组织委员会：
主任：郑理
副主任：涂长峰、周学通、徐光伟、刘盼、魏杰
委员：周峰、王珩宇、杨可萌、张珺、罗鹏、刘成、刘宇、张茂林、任开琳、王谦、张栋梁、刘晓博、王鹏、陈龙、李成、康俊杰、崔潆心、李道会、贾欣龙等
二、主题&征文方向
1.S1-硅基功率器件与集成技术
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术；
2.S2-碳化硅功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
3.G1-氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
4.G2-氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
5.P1-模组封装与应用技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性；
6.P2-面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术、制造、封装、检测及测试设备等；
7.P3-功率器件交叉领域及EDA
基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试。
三、稿件提交流程
1. 摘要征集阶段
投稿时间：2026年1月1日-5月27日（以邮件发送时间为准）；
征文要求：
·尚未在国内外公开刊物或其他学术会议上发表过的论文；
·主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位;
·按照组委会提供的模板排版全文，论文全文格式要求为WORD，内容不超过6页;
·论文全文需符合APA撰写规范并符合模板排版格式；
·作者须提交文体规范的论文；
·演讲语言可以使用中文或英文（PPT或PDF文档）。
2. 评审与通知
·扩展摘要评审结果预计将于2026年5月27-6月10日通过电子邮箱通知第一作者，并同步在论坛官网公示；
·部分优秀稿件将由组委会推荐至合作期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》，推荐结果及后续所需提交内容将会同时通过邮件告知被推荐人并在论坛官网公示。
3. 全文征集阶段（仅限推荐至期刊作者）
·提交时间：2026年5月10日-6月10日；
·期刊推荐工作预计在会议结束后1-2周内完成。
四、投稿模板及咨询
1.论文投稿
·投稿截止5月27日。投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。
·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：
CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf
2.投稿&报告咨询：
郑老师 15618636853，zhengli@mail.sim.ac.cn
贾老师 18310277858， jiaxl@casmita.com
李老师 18601994986， linan@casmita.com
征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn
五、会议日程（拟）
六、会议嘉宾（部分）
七、拟邀参会单位
中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学、上海大学等
八、优秀功率半导体产品征集
为进一步推动我国功率半导体与集成电路领域学术研究与产业应用深度融合，促进前沿技术与市场需求高效对接，搭建优秀产品展示与交流平台，强化产业链上下游协同联动，完善产业生态建设，打造引领我国功率半导体器件与集成电路技术创新与产业高质量发展的标杆平台。2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）将于6月25-27日在上海举办。经大会组委会研究决定，正式启动 “CSPSD 2026 优秀功率半导体产品征集活动”。现将有关事项通知如下：
征集范围
本次征集活动面向在中国地区开展研发、生产及销售业务的功率半导体相关企业，广泛征集在技术创新和优秀市场表现两大核心维度，具备突出优势的功率器件与集成技术相关产品，精准挖掘行业优质成果，助力功率半导体产业高质量发展。
*技术创新维度：重点关注产品在核心技术突破、工艺优化升级、性能指标提升等方面的突出成果，包括但不限于新型功率器件结构研发、集成技术创新、能效提升、可靠性优化等；
*优秀市场表现维度：聚焦产品的市场认可度、销量增长态势、客户口碑、应用场景覆盖广度及市场份额占比等核心指标，凸显产品的市场竞争力与商业化价值。
*征集范围包括但不限于：硅基功率器件与集成技术产品，碳化硅功率器件与集成技术产品，氮化镓、III-V 族化合物半导体功率器件产品，氧化镓/金刚石功率器件产品，功率模组、封装与应用产品，功率器件核心材料、装备及制造相关产品，功率器件 EDA 软件、新材料与交叉领域产品。
产品申报条件
1.申报产品的研发、生产和销售有在中国大陆、香港和澳门地区；
2.申报产品须在技术创新、市场应用与产业贡献方面表现突出；
3.申报产品须为单款产品；
4.申报产品须为上市量产或完成研发且有实物样品；
5.同款产品只能申报一个或首推应用项目类别。
申报程序
1.材料申报。征集通知发出后，参加申报的单位按照征集要求在2026年6月10日前在线填写并提交申报表单。复制链接至浏览器打开→
https://my.feishu.cn/share/base/form/shrcnd8iii0q044GxL7mnxBHQRb
2.材料审核。由组委会秘书处汇总各渠道申请材料，对材料进行形式审查，确定有效成果。
3.审定。由大会组委会对申报材料集中审定，最终确定CSPSD2026优秀产品名单。
享受多重福利
1.展示。大会现场设置集中展示区域，助力企业优秀产品参与现场交流合作；
2.路演。针对有融资需求的企业或团队，提供项目路演/产品推介机会；
3.收录。优秀产品将刊登在CSPSD2026手册，并刊登在大会官网长期展示宣传；
4.宣传。所有征集产品将优先在半导体产业网、第三代半导体产业公众号进行推送宣传；
5.对接合作。免费为提交征集表单的企业提供对接服务，助力企业产品销售及产业链合作；
6.其他。......更多福利敬请期待！
九、注册报名
1.注册及权益：注册费2800元，5月30日前注册报名2500元（含会议资料袋，6月26日午餐、欢迎晚宴、27日自助午餐及晚餐）。
2.在线报名
·扫码注册
扫码注册报名
·注册网址：（请复制链接至浏览器打开）https://forum.casicon.cn/e/4/checkout/create#order_form
·点击阅读原文：点击文末“阅读原文”直接跳转至→报名链接，完成报名。
十、联系咨询
1.论文投稿
·投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。
·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：
CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf
2.投稿&报告咨询：
郑老师 15618636853，zhengli@mail.sim.ac.cn
贾老师 18310277858，jiaxl@casmita.com
李老师 18601994986，linan@casmita.com
征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn
3.赞助、展示及商务合作
贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411，vivi@casmita.com
4.报名咨询：
芦老师：13601372457，luli@casmita.com
