第十九届全国MOCVD学术会议将于2026年7月27日至29日在内蒙古·呼和浩特隆重举行。
全国MOCVD学术会议是我国MOCVD生长技术与化合物半导体材料器件研发领域的重要交流平台。自1989年首届会议召开以来，迄今已成功举办十八届。随着会议规模与影响力的持续扩大，该会议已发展为全国学术界与产业界广泛参与的学术盛会，为我国MOCVD领域的学术研究、技术进步及半导体产业发展作出了积极贡献。本次会议旨在系统探讨MOCVD领域的关键问题，推动产学研协同发展。会议将聚焦“材料生长、表征与装备”、“功率电子与射频器件”、“光电子器件与应用”、“超宽禁带半导体与前沿交叉”、“封装、应用及AI for MOCVD”等核心议题，以期为深化学术研讨、服务产业决策和促进技术交流提供重要支撑。
一、会议组织
1、大会主席：郝跃院士
共同主席：江风益、杨辉、沈波
2、大会顾问委员会（按姓名拼音排序）：
陈良惠、陈小龙、褚君浩、范广涵、甘子钊、郝跃、何杰、侯洵、黄如、黄维、李晋闽、贾明星、江风益、李树深、刘明、刘胜、刘纪美、刘益春、罗毅、潘庆、施毅、孙祥祯、王立军、王启明、王占国、吴玲、夏建白、杨德仁、叶志镇、张荣、张国义、郑有炓、郑婉华、祝宁华
3、程序委员会：主席：徐科
共同主席：王新强、张进成、黎大兵、汪莱、龙世兵、薛春来、陆海
程序委员会（按姓名拼音排序）：
敖金平、程凯、陈长清、陈敦军、陈敬、陈时友、陈堂胜、陈秀芳、陈志涛、陈弘、陈化冰、杜祖亮、窦文涛、冯志红、方龙、郭世平、何军、胡晓东、胡伟达、黄凯、黄少华、鞠光旭、康俊勇、李晓航、刘新宇、刘斌、刘建平、刘扬、刘宗亮、刘雯、刘志强、刘召军、李忠辉、罗小蓉、梁红伟、梁剑波、马晓华、莫庆伟、陆书龙、欧欣、皮孝东、阮军、任国强、单崇新、孙钱、盛况、孙东明、孙晓娟、孙小卫、唐宁、唐为华、田有良、魏同波、魏钟鸣、魏进、王欣然、万玉喜、王立、王江波、王军喜、王建禄、王宏兴、王建峰、王俊、武利民、吴亮、徐现刚、徐海阳、许福军、薛春来、薛军帅、杨学林、叶建东、杨树、杨富华、余学功、闫春辉、闫建昌、云峰、周鹏、曾中明、张建立、张雄、张清纯、张乃千、张波、张保平、张宝顺、张峰、张源涛、张伟、张星、张宇昊、张金凤、张韵、张龙、赵丽霞、赵德刚、赵璐冰、朱嘉琦
二、征稿要求
征文方向
外延生长机理和生长动力学
半导体材料结构与物性
光电子材料与器件
电子材料与器件
超宽禁带半导体材料与器件
低维半导体等新型材料与器件
封装技术及封装材料
基础原材料、装备技术及人工智能
征文要求
符合会议主题内容的论文摘要；
论文摘要主题突出、内容层次分明、数据准确、论述严谨、结论明确、采用法定计量单位；
论文摘要须以WORD文档格式，包含标题、作者及其单位地址、正文、图表、参考文献等在内不超过一页A4纸；
会议将从投稿摘要中选取一定比例来进行口头报告或海报展示，请作者在提交时注明拟申请的展示类型，组委会择优筛选后另行通知；
请于2026年6月30日前提交至会务投稿邮箱：MOCVD2026@iasemi.cn，邮件主题命名方式：投稿方向+题目；
所有论文摘要均编入会议文集。
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三、联系方式
论文征稿咨询
尤老师
电话：17368486501
邮箱：ycyou2022@iasemi.cn
参展/参会/赞助商务合作
张女士：13681329411，vivi@casmita.com
贾先生：18310277858, jiaxl@casmita.com
