聚焦功率半导体创新突破，共话产业发展新机遇！6月25-27日，2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)将在上海临港凯悦酒店召开。会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办。
作为国内功率半导体领域的重要学术与产业交流平台，本次会议设置“开幕大会+主题论坛+展览展示+参观考察+益企跑”等形式，目前首批50+嘉宾报告议题重磅揭晓，会议嘉宾阵容涵盖“产学研用”在内国家级科研院所专家、高校科研团队、头部企业领袖三大核心群体，报告议题更是覆盖从“基础研究 - 技术突破 - 产业应用 - 未来趋势” 的全方位交流体系。
首批嘉宾及报告议题
致辞嘉宾
》狄增峰
中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长、研究员、CSPSD2026大会主席
》杨富华
第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长
》张 波
电子科技大学集成电路研究中心主任、教授，CSPSD联合发起人
大会报告
》AI浪潮下功率半导体技术的发展机遇
张波，电子科技大学集成电路研究中心主任、教授，四川省功率半导体技术工程研究中心主任
》From Grid to Chip - A Power Semiconductor Perspective
吴伟东，加拿大多伦多大学教授、多伦多纳米制造中心主任
》从新能源汽车、AI电源架构到面向高效率电力变换和电力保护的SiC功率半导体
张永熙，瞻芯电子董事长兼CEO
》基于机器学习的功率电子设计优化、模型建立与可靠性监测
程新红，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员
》报告题目待定
贡俊，新能源汽车电驱动领域专家，上海电驱动股份有限公司原董事长、总经理
......
分会主题报告
（报告不分先后，持续增加中）
》面向功率器件的12寸氧化镓单晶技术及产业化
齐红基，杭州光学精密机械研究所所长、杭州富加镓业科技有限公司董事长
》吉赫兹百安千伏氧化镓高压功率器件
周弘，西安电子科技大学教授
》碳化硅功率器件与新型封装在大功率和高频应用中的技术优势与展望
黄兴，派恩杰半导体创始人兼CEO
》SiC MOSFET DGS失效机制与高dV/dt 耐受能力提升研究
贾仁需，西安电子科技大学教授
》高低压皆有无限空间：氮化镓功率器件及应用的前沿展望
张宇昊，香港大学电气与计算机工程系教授、先进半导体与集成电路中心副主任
》报告主题待定
孙钱，中科院苏州纳米所研究员
》基于200mm GaN-on-Si平台的无再生长低压 p-GaN 栅 HEMT中实现创纪录低 RON,SP 及RON×QG
David ZHOU，深圳平湖实验室GaN首席科学家
》SiC光增强MOSFET功率器件研究
张峰，厦门大学教授
》报告题目待定
朱楠，致瞻科技(上海)有限公司半导体事业部设计总监
》碳化硅GTO与PiN反并联低感集成研究与设计验证
高磊，中国工程物理研究院电子工程研究所微系统与太赫兹研究中心副研究员
》一种增强型横向3C/4H-SiC异质结晶体管HEMT
韦文生，温州大学教授
》高可靠车规级200V SOI BCD 工艺技术与产业化平台
章文通，电子科技大学教授
》0.152V导通电压的双阳极凹槽横向GaN肖特基势垒二极管
王霄，江南大学副教授
》金属有机化学气相沉积法制备的AlGaN-GaN高电子迁移率及高功率晶体管
冯哲川，美国肯尼索州立大学兼职教授、 台湾大学榮退教授
》The-state-of-the-art SiC Trench MOSFET with Ron,sp of 1.4 mΩ·cm?
祝明华，海思半导体功率器件技术专家
》高压功率模块封装绝缘测试及评估
王亚林，上海交通大学电气工程学院长聘教轨副教授、院长助理
》SiC功率模块智能设计与封装集成技术
牟运，中山大学副教授
》大电流高压碳化硅器件及产业化
崔潆心，山东大学副研究员
》报告题目待定
姚佳飞，南京邮电大学南通研究院常务副院长
》报告题目待定
李道会，合肥昕感半导体总经理
》从器件物理到封装可靠性：碳化硅MOSFET失效机制的多尺度研究
刘盼，复旦大学副教授
》报告主题待定
刘新杰，积塔半导体市场总监
》基于X射线形貌术的碳化硅MOSFET原位表征研究
赵昌哲， 中国科学院上海微系统与信息技术研究所、集成电路材料全国重点实验室
》多维缺陷特性表征技术在宽禁带半导体研究中的应用
杨重远，索相科技（上海）有限公司技术总监
》蓝宝石基高压HEMT器件外延及界面调控研究
郭炜，中国科学院宁波材料技术与工程研究所研究员
》离子束技术在功率电子器件中的应用
周生强，德国德累斯顿-罗森道夫亥姆霍兹研究中心半导体事业部主任、研究员
》报告主题待定
周琦，电子科技大学教授
》大尺寸高质量氮化物（氮化镓、氮化铝）单晶衬底研发及产业化进展
张雷，山东大学教授、山东晶镓董事长
》GaN HEMT器件在xPU二次电源buck架构中的挑战
莫海峰，苏州明义微电子技术有限公司研发总监
》基于氮化镓的 PSU（AC-DC）和BBU（电池转换单元）应用以及800 VDC架构
田水林，南京航天航空大学研究员
》GaN功率器件雪崩鲁棒性与短路可靠性
魏进，北京大学研究员
》垂直型氮化物功率器件与单片集成双向开关
刘超，山东大学教授
》GaN极化超级结HEMT器件及动态可靠性研究
陈敦军，南京大学电子科学与工程学院副院长、教授
》面向GaN功率集成的增强型p-GaN HEMT器件紧凑模型研究
任开琳，上海大学副教授
》采用双介质沟槽终端结构实现垂直氧化镓肖特基二极管的协同电场调控
杨伟锋，厦门大学教授
》报告主题待定
徐光伟，中国科学技术大学特任教授
》氧化镓安培级沟槽SBD及9kV横向MOSFET研究
彭若诗，九峰山实验室高级工程师
》商用6英寸氧化镓外延片进展
江继伟，杭州镓仁半导体有限公司联合创始人/董事
》单片集成高压氮化镓双向功率开关
覃愿，中国科学技术大学集成电路学院特任教授
》高导热氧化镓异质集成技术研究进展
徐文慧，中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员
》5G/6G/WiFi 6E通信用LTCC器件
宋开新，杭州电子科技大学教授
》报告主题待定
魏杰，电子科技大学集成电路科学与工程学院研究员
》基于有源箝位均压的功率器件直串技术
邵帅，浙江大学副教授
》报告主题待定
汪青，南方科技大学教授
》报告主题待定
周选择，中国科学技术大学特任教授
》高性能β-Ga?O?功率二极管及其在DC-DC变换器中的应用
吴飞宏，中电科五十五所
》Sky-FET: A Novel GaN Power Device with Lateral-Vertical Channel Hybrid Structure for Enhanced Breakdown Voltage
郭富强，北京大学
》Investigation of Single-Event Burnout Mechanisms and Irradiation Hardening Technology in 100?V P-GaN Gate HEMT
祝江根，华中科技大学
》Monolithic GaN Bidirectional Switch: Integrated Gate Driver, Substrate Control Termination and High Temperature Application
李昂，西交利物浦大学
》Investigation of the fabricated charge-balance-assisted SiC MOSFETs
段于涵，复旦大学
》Atomic layer etching-enabled interface engineering for enhanced carrier transport in GaN trench MOSFETs
游明恺，西交利物浦大学
......更多报告持续确认中！
关于CSPSD2026详情
功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD ）是由半导体产业网重磅打造的先进半导体产业大会（CASICON）核心子品牌专项会议，深耕功率半导体与集成电路核心赛道，是国内该领域极具影响力的专业产业交流平台。
自创办以来，CSPSD系列会议获得了国内功率半导体器件与集成电路领域顶尖科研院所、高等院校以及全产业链上下游企业的高度认可与深度参与，汇聚了行业科研、技术、产业、市场等多方核心资源，具备扎实的行业口碑与产业基础。其中，2024年、2025年会议已先后携手电子科技大学、南京邮电大学，在成都、南京圆满成功举办两届，有效搭建了产学研协同交流桥梁，助力区域半导体产业创新发展。
CSPSD2024-2025回顾
立足产业发展新形势与技术迭代新趋势，2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)将落地上海，由半导体产业网联合中国科学院上海微系统与信息技术研究所共同主办，持续升级会议规格与行业影响力。会议聚焦产业前沿热点与核心技术痛点，重点围绕硅基半导体、宽禁带/超宽禁带半导体材料、功率器件与集成电路集成应用、先进封装与异构集成技术、EDA工具、AI算力芯片、功率集成交叉学科创新应用等关键领域展开深度研讨。
本次会议延续多元化、精准化的办会模式，采用“主题会议+展览+精准对接+考察”的立体化活动形式，精准聚合高校、科研院所、企业、投融资机构等各方诉求，打通技术创新、成果转化、产业合作、资源对接的全链条通道，全力推动功率半导体与集成电路领域的技术革新、学术交流与产业协同发展，为我国半导体产业高质量创新升级赋能助力。
会议时间：2026年6月25-27日
会议地点：中国·上海·上海临港凯悦酒店
一、组织机构
指导单位：
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
极智半导体产业网
第三代半导体产业
承办单位：
集成电路材料全国重点实验室
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
学术协办：
电子科技大学
南京邮电大学
大会主席：狄增峰
联合主席：张波、吴伟东、程新红、赵璐冰
程序委员会委员：陈敬、张进成、柏松、唐为华、罗小蓉、张清纯、万玉喜、龙世兵、王来利、杨媛、张宇昊、杨树、刘斯扬、欧欣、章文通、陈敦军、耿博、郭清、蔡志匡、梁瑶、刘雯、邓小川、魏进、周琦、周弘、叶怀宇、张龙、包琦龙、金锐、姚佳飞、蒋其梦、明鑫、周春华、郑理、沈玲燕、张薇葭、黄森等
组织委员会：
主任：郑理
副主任：涂长峰、周学通、徐光伟、刘盼、魏杰
委员：周峰、王珩宇、杨可萌、张珺、罗鹏、刘成、刘宇、张茂林、任开琳、王谦、张栋梁、刘晓博、王鹏、陈龙、李成、康俊杰、崔潆心、李道会、贾欣龙等
二、主题&征文方向
1.S1-硅基功率器件与集成技术
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术；
2.S2-碳化硅功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
3.G1-氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
4.G2-氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
5.P1-模组封装与应用技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性；
6.P2-面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术、制造、封装、检测及测试设备等；
7.P3-功率器件交叉领域及EDA
基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试。
三、稿件提交流程
1. 摘要征集阶段
投稿时间：2026年1月1日-5月27日（以邮件发送时间为准）；
征文要求：
·尚未在国内外公开刊物或其他学术会议上发表过的论文；
·主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位;
·按照组委会提供的模板排版全文，论文全文格式要求为WORD，内容不超过6页;
·论文全文需符合APA撰写规范并符合模板排版格式；
·作者须提交文体规范的论文；
·演讲语言可以使用中文或英文（PPT或PDF文档）。
2. 评审与通知
·扩展摘要评审结果预计将于2026年5月27-6月10日通过电子邮箱通知第一作者，并同步在论坛官网公示；
·部分优秀稿件将由组委会推荐至合作期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》，推荐结果及后续所需提交内容将会同时通过邮件告知被推荐人并在论坛官网公示。
3. 全文征集阶段（仅限推荐至期刊作者）
·提交时间：2026年5月10日-6月10日；
·期刊推荐工作预计在会议结束后1-2周内完成。
四、投稿模板及咨询
1.论文投稿
·投稿截止5月27日。投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。
·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：
CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf
2.投稿&报告咨询：
郑老师 15618636853，zhengli@mail.sim.ac.cn
贾老师 18310277858， jiaxl@casmita.com
李老师 18601994986， linan@casmita.com
征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn
五、会议日程（拟）
六、会议嘉宾（部分）
七、拟邀参会单位
中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学、上海大学等
八、优秀功率半导体产品征集
为进一步推动我国功率半导体与集成电路领域学术研究与产业应用深度融合，促进前沿技术与市场需求高效对接，搭建优秀产品展示与交流平台，强化产业链上下游协同联动，完善产业生态建设，打造引领我国功率半导体器件与集成电路技术创新与产业高质量发展的标杆平台。2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）将于6月25-27日在上海举办。经大会组委会研究决定，正式启动 “CSPSD 2026 优秀功率半导体产品征集活动”。参加申报的单位按照征集要求在2026年6月10日前在线填写并提交申报表单。复制链接至浏览器打开→https://my.feishu.cn/share/base/form/shrcnd8iii0q044GxL7mnxBHQRb
九、注册报名
1.注册及权益：注册费2800元，5月30日前注册报名2500元（含会议资料袋，6月26日午餐、欢迎晚宴、27日自助午餐及晚餐）。
2.在线报名
·扫码注册
扫码注册报名
·注册网址：（请复制链接至浏览器打开）https://forum.casicon.cn/e/4/checkout/create#order_form
·点击阅读原文：点击文末“阅读原文”直接跳转至→报名链接，完成报名。
十、联系咨询
1.论文投稿
·投稿截止5月27日。投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。
·投稿模板&摘要&海报要求附件下载：
CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf
2.投稿&报告咨询：
郑老师 15618636853，zhengli@mail.sim.ac.cn
贾老师 18310277858，jiaxl@casmita.com
李老师 18601994986，linan@casmita.com
征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn
3.赞助、展示及商务合作
贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411，vivi@casmita.com
4.报名咨询：
芦老师：13601372457，luli@casmita.com
