近日，微电子所EDA中心针对后摩尔时代器件-电路协同设计需求，聚焦界面量子输运、逻辑单元互连和非傅立叶传热建模等问题，在二维存储器和先进逻辑器件TCAD仿真方面取得系列进展，相关成果发表于IEEE Electron Device Letters和IEEE Transactions on Electron Devices上。
二维材料闪存面向高速、低功耗非易失性存储，但亚纳秒编程机理仍不清晰。微电子所与复旦大学合作建立含时量子输运模拟框架，复现亚纳秒编程特征，揭示热载流子聚集、隧穿及转移过程，为界面与势垒优化提供依据。成果以“Ab initio Quantum Transport Simulation of High Speed 2D Flash Memory”发表于IEEE Electron Device Letters；微电子所博士研究生贾云天为论文第一作者，微电子所徐勤志研究员、李志强研究员和复旦大学陆叶教授为论文共同通讯作者。链接：https://ieeexplore.ieee.org/document/11478464
CFET通过垂直堆叠提升逻辑密度，但底部器件引出和信号互连会带来面积与寄生开销。微电子所提出新型混合沟道互连集成架构方案及协同优化流程，为源漏通孔和信号互连预留空间，实现上下器件漏端直接接触，减少绕线和单元面积。成果以“Simulation Design of Novel Hybrid Channel Complementary FET (HC-CFET) and Interconnect Scheme for Sub-1 nm Node”发表于IEEE Transactions on Electron Devices；微电子所博士研究生何浩为论文第一作者，微电子所徐勤志研究员和浙江大学吴振华教授为论文共同通讯作者。链接：https://ieeexplore.ieee.org/document/11267237
器件微缩和三维堆叠使自热问题更加突出，传统傅立叶模型难以描述纳米尺度瞬态热输运。微电子所建立非傅立叶瞬态热模型，揭示傅立叶模型局限，并提出通过调控金属连接结构降低热点温度。成果以“Transient Thermal Model of Advanced Nanotransistors: A Case Study of CFET”发表于IEEE Transactions on Electron Devices；微电子所博士研究生安昆龙为论文第一作者，微电子所徐勤志研究员和李志强研究员为论文共同通讯作者。链接：https://ieeexplore.ieee.org/document/11024240
上述研究得到了中国科学院战略性先导科技专项（A类）、国家重点研发计划、国家自然科学基金、国家科技重大专项和中国科学院青年交叉团队等项目支持。
（来源：中国科学院微电子研究所）
