近日，国产 DRAM 龙头长鑫科技集团股份有限公司（简称 “长鑫科技”）更新科创板 IPO 招股书，一组炸裂数据震动资本市场：2026 年一季度，公司实现营业收入 508 亿元，同比增长 719.13%；净利润 330.12 亿元，同比增幅达 1268.45%；归母净利润 247.62 亿元，同比暴增 1688.30%。
从 2022 年至 2024 年累计亏损超 317 亿元，到单季盈利 330 亿元，从行业寒冬连年亏损，到行情回暖盈利腾飞，长鑫科技用两年时间完成从 “烧钱机器” 到 “利润巨兽” 的蜕变，不仅改写 A 股科技企业盈利格局，更折射出全球存储芯片 “超级周期” 的澎湃浪潮与国产半导体突围的深层逻辑。
国内 DRAM 唯一 IDM 龙头，筑牢产业自主根基
长鑫科技 2016 年落户安徽合肥，是国内唯一、全球第四大 DRAM 全产业链 IDM 企业，专注存储芯片研发、晶圆制造与市场销售，肩负着我国通用内存芯片自主可控的核心产业使命。
经过多年深耕布局，公司现已建成三座 12 英寸高端晶圆生产基地，产能稳步爬坡，2025 年末月产能达 30 万片，2026 年将冲刺 40 万片月产能规模。技术层面实现全面突破，主力 DDR5 内存芯片良率突破 90%，性能对标国际一线产品，同时成功实现 12 层 HBM 高带宽内存量产，顺利切入 AI 算力高端供应链。
目前企业产品矩阵覆盖消费电子、服务器、汽车电子、智能终端等全应用场景，合作客户囊括国内头部数码、科技厂商，全球市场占有率稳步攀升至 7.67%。此次冲刺科创板上市，拟募资 295 亿元，全部用于产能扩建、前沿技术研发与产业链配套建设，持续夯实国产存储龙头地位。
从持续亏损到业绩爆发，五年走势泾渭分明
纵观长鑫科技近年经营财务表现，企业发展清晰历经低谷承压、扭亏筑底、高速爆发三大阶段，经营基本面实现彻底扭转。
行业下行周期内，企业经营持续承压。2022 年公司实现营收 200.7 亿元，经营陷入亏损；2023 年营收小幅上涨至 249.2 亿元，亏损压力进一步加大；2024 年市场行情依旧低迷，营收回落至 241.3 亿元，不过经营状况逐步改善，亏损幅度开始持续收窄。2022 至 2024 年三年时间里，受存储行业整体行情走弱影响，再加上企业产线建设产生高额折旧费用、长期保持高强度研发投入，公司深陷亏损局面，三年累计亏损金额超 317 亿元，经营发展面临较大压力。
随着产业行情迎来转折，企业正式迈入扭亏筑底阶段。2025 年全球存储市场景气度回暖，叠加自身产能持续释放、产品市场认可度提升，公司经营迎来重要拐点，全年营收大幅增长至 618 亿元，同比增幅达到 155.6%，顺利实现全年整体扭亏为盈，彻底走出长期亏损困境，经营发展态势稳步向好。
步入 2026 年，行业迎来全面上行周期，企业正式开启高速爆发模式。对比来看，2025 年一季度公司尚且处于亏损状态，时隔一年经营业绩实现颠覆性突破。2026 年一季度公司单季营收高达 508 亿元，同比大幅增长 719.13%，归母净利润攀升至 247.62 亿元，整体净利润更是达到 330 亿元，日均盈利接近 3 亿元，单季度盈利规模直接抹平此前三年累计亏损。此外，公司同步发布上半年业绩预期，预计年内上半年营收规模将达到 1100 亿至 1200 亿元，归母净利润区间锁定在 500 亿至 570 亿元，超高增长势头稳固确立，盈利空间持续打开。
三重因素铸就业绩爆发，实现百亿级盈利
1. 行业超级周期来临，供需失衡推高产品价格
本轮存储行业上行行情，核心驱动力来自人工智能产业全面崛起。AI 服务器、算力集群对 DRAM 内存需求量远超传统设备，单台 AI 服务器存储用量达到传统服务器 8 至 10 倍，市场刚需呈爆发式增长。
供给端格局同步收紧，三星、SK 海力士、美光三大海外存储巨头，纷纷将高端产能倾斜至高附加值 HBM 产品，大幅削减通用 DRAM 产能投放，直接造成全球通用内存供给缺口扩大。供需严重错配之下，DRAM 芯片市场价格持续暴涨，2025 年末至 2026 年一季度产品合约价累计涨幅超九成，行业整体盈利空间全面打开，长鑫科技充分尽享周期涨价红利。
2. 产能满产叠加成本优势，利润弹性充分释放
当前长鑫科技所有晶圆产线实现满负荷生产，产能利用率稳定保持 95% 以上，一季度产品出货量同比增幅超 200%，产销同步放量。
依托合肥本土完善的半导体产业配套、成熟稳定的制程工艺，企业生产制造成本相比海外同行低 15%—20%，成本优势凸显。伴随产品价格上涨，公司毛利率从 2024 年 12.7% 大幅攀升至 40% 以上。同时企业持续优化产品结构，DDR5、LPDDR5 等高毛利产品占比突破 60%，淘汰低端老旧产品，进一步拉升整体盈利水平。叠加前期经营亏损包袱逐步出清，固定成本分摊压力降低，经营杠杆效应全面释放。
3. 国产替代加速落地，本土市场订单稳固
在国家数字信息安全战略推动下，国内政企市场、消费电子市场、汽车半导体市场全面加快国产存储芯片导入节奏。作为国内唯一量产 DRAM 芯片企业，长鑫科技坐拥庞大本土市场基本盘，优先拿下各类核心订单，市场份额持续提升，为业绩高速增长提供坚实市场支撑。
短期高景气延续，中长期回归稳健增长
1. 短期一至两年：高增长高盈利格局稳固
业内普遍预判，全球存储供需偏紧格局将持续至 2027 年年中，DRAM 产品价格将长期维持高位运行。叠加长鑫科技新增产能持续投产，出货规模持续扩容，企业营收与净利润依旧将保持高速增长，2026 年全年净利润有望突破千亿元，成为 A 股科技产业盈利标杆企业。
2. 中长期三至五年：周期回落，超高利润逐步回归常态
存储芯片具备强周期性行业属性，行情涨跌随产能供给交替切换。未来 2027 至 2028 年，海外存储大厂重启通用 DRAM 产能扩建，叠加国内多条存储产线集中投产，全球存储芯片产能将迎来集中释放，市场供需关系逐步宽松，产品价格或将出现明显回落。
届时行业整体毛利率将回归 15%—25% 正常区间，长鑫科技依靠行业红利形成的超高盈利增速将逐步放缓，企业正式告别纯周期红利盈利模式。
3. 长期发展底气十足，穿越周期稳步成长
即便行业周期进入调整阶段，长鑫科技依旧具备强劲核心竞争力。一方面国产存储自主替代长期趋势不可逆，国内庞大市场持续提供稳定客源；另一方面企业坚持自主研发，持续布局下一代高速内存、高端堆叠存储等前沿技术，不断缩小与国际顶尖企业的技术差距。
未来企业将逐步从周期行情驱动，转向技术驱动、品牌驱动双向发展，稳步提升全球市场份额，向全球一线存储企业稳步迈进。
小结：长鑫科技从连年大额亏损，到单季度斩获 330 亿元净利润，不仅是企业自身经营实力跨越升级的缩影，更是中国存储芯片产业十年磨一剑、厚积薄发的最好印证。
在 AI 产业浪潮、国产替代浪潮、产业政策扶持多重利好加持下，国产存储产业已然迈入黄金发展阶段。未来以长鑫科技为代表的本土半导体企业，将持续打破海外技术与市场垄断，不断完善国内自主可控存储产业链，助力我国半导体产业实现自主自强，在全球数字产业竞争中占据更多主动权。
