【半导体产业网 5 月 19 日讯】 当前，第三代半导体产业正迎来结构性变革，碳化硅（SiC）衬底应用加速从新能源汽车、储能等传统领域，向先进封装、射频通信、光学半导体等高端场景延伸。随着 8 英寸 SiC 成为国内企业规模化扩产、抢占高端市场的核心方向，行业竞争正从粗放式产能扩张，转向低损耗、高良率、高稳定性的精细化工艺比拼。
作为 8 英寸 SiC 量产的核心关键工序，激光剥离直接决定晶锭利用率、成品良率与终端生产成本，长期以来是制约大尺寸 SiC 产业化的核心技术卡点。目前行业主流量产方案损耗稳定在 60–80μm 区间，难以突破降本增效瓶颈，无法完全适配高端车规、先进封装领域的严苛量产需求。
聚焦行业痛点与产业升级需求，国产半导体设备商中微精仪近日宣布重大技术突破：其 8 英寸碳化硅激光剥离设备完成全链路技术迭代，率先实现量产总损耗稳定≤40μm，正式迈入 40μm 超低损耗时代，为国产大尺寸 SiC 产业化提供全新高性能解决方案。该设备实现 “出货即量产”，调试周期短，不仅显著提升出片量，更可帮助客户在晶片减薄环节节省 50% 耗材与 50% 加工时间。
攻克行业瓶颈 打破传统工艺局限
碳化硅硬度趋近金刚石，属于典型硬脆性难加工材料，传统线切割工艺存在损耗大、效率低、易产生微裂纹等缺陷，已无法满足规模化量产要求。即便激光剥离逐步成为主流，业内多数设备仍受光路精度、能量控制、热效应等技术短板限制，损耗难以突破 60μm 关口。
中微精仪依托多年半导体激光加工经验，通过设备架构、光路调控、工艺算法全链路自研升级，精准控制激光能量作用深度与范围，有效抑制材料损伤与热影响，成功将 8 英寸 SiC 量产总损耗稳定控制在 40μm 以内。相较行业主流 60–80μm 方案，损耗降低 30% 以上；对比传统线切割工艺，损耗降幅高达 80%。目前 400μm 晶锭可稳定加工产出 350μm 合格衬底片，实现原材料价值最大化。
多维技术优势 重构 8 英寸 SiC 量产标准
本次技术突破依托全栈自研核心体系，实现损耗、效率、良率、成本四大维度全面升级，形成三大核心优势：
极致超低损耗，绿色降本增效：采用无耗材、无化学试剂加工模式，规避二次污染，大幅提升单根晶锭出片量，有效降低单片生产成本。
高效稳定量产，适配车规标准：单片剥离时长＜15 分钟，效率较传统工艺提升 20–30 倍；支持 24 小时连续量产，加工一致性高、良率稳定，完全满足高端衬底严苛品质要求。
全链路自主可控，适配多元场景：核心技术覆盖自研光源、精密光路、热效应抑制、自动化控制全链条，可适配不同规格 8 英寸 SiC 衬底，支持定制化调试。设备模块化设计交付快、适配性强，已通过多家头部 SiC 企业现场验证与小批量量产导入。
技术代际跃迁 助力国产 SiC 高端化升级
从行业普遍 60–80μm 损耗水平，到稳定实现 40μm 超低损耗量产，标志着国产 SiC 激光剥离装备实现从跟跑到领跑的关键跨越。随着第三代半导体高端应用持续扩容，工艺精细化、成本极致化、产能稳定化将成为 SiC 企业核心竞争壁垒。
中微精仪表示，未来将持续深耕大尺寸碳化硅激光剥离领域，加速迭代 8 英寸、12 英寸量产工艺与设备技术，以自主可控的国产核心装备，助力国内碳化硅产业降本增效、高端突围，推动第三代半导体产业高质量规模化发展。针对不同企业产线升级、工艺迭代、产能扩产需求，公司可提供一对一定制化工艺调试、设备适配与量产方案全流程服务。
