在数字经济与实体经济深度融合、智能化浪潮席卷全球的时代背景下，半导体产业作为现代信息技术的基石，正经历着从“器件级”向“系统级”创新的深刻变革。先进封装技术，正是这场变革的核心引擎。在此关键节点，5月16日，由江南大学、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办的“2026先进半导体封装技术与应用论坛（CASPF 2026）”在江阴盛大启幕。
论坛汇聚政、产、学、研、用各界精英代表，共同探讨先进封装技术的前沿趋势、发展路径与产业生态构建，为我国半导体产业的高质量发展注入强劲动能。江南大学党委副书记倪松涛，第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长、中国科学院半导体研究所原副所长杨富华，中国电子科技集团第五十八所原所长、集成电路与微系统全国重点实验室主任蔡树军，江阴市科技局党组副书记、副局长李罗娜，江阴市工信局副局长张成奇，江阴市霞客湾科学城科创中心副主任、招商服务局局长任振宇先生，江南大学集成电路学院院长顾晓峰，江南大学宽禁带半导体研究中心主任敖金平，厦门云天半导体董事长、厦门大学特聘教授于大全，西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室主任王宏兴，上海交通大学电子信息与电气工程学院副院长周亮，哈尔滨工业大学特聘教授 田艳红，中国电子科技集团第五十八所预研中心主任、首席专家魏敬和，江苏长电科技有限公司科学家杨程，江阴市辉龙科技股份有限公司总经理缪宇清，南京邮电大学南通研究院常务副院长姚佳飞，合肥昕感科技有限公司总经理李道会等政府领导、业内知名专家学者、行业组织领导、企业领袖精英出席会议开幕式。第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长耿博主持了开幕式环节。
第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长耿博主持了开幕式环节
聚焦前沿，构筑协同创新高地
全球半导体产业正处于深刻变革的关键时期，先进封装技术凭借其异构集成、高密度互连、系统级封装等独特优势，成为突破技术瓶颈、实现性能跃升的重要路径，正引领着半导体产业发展的新方向。先进封装技术的发展正迎来前所未有的历史机遇。
无锡及江阴市在半导体封装测试领域处于全国领先地位，其中江阴更是全球封测产业的重要高地。江南大学是教育部直属、国家“211工程”重点建设高校和“双一流”建设高校，扎根无锡、立足霞客湾，深度融入区域产业发展，其集成电路学院，聚焦先进封装、宽禁带半导体、高端芯片等前沿方向，配备完善的微纳加工与测试平台，在氮化镓先进封装集成、低维半导体器件、异构集成技术等方面取得多项突破，先后获批省市级重点实验室、省级工程研究中心，共建物联网技术应用教育部工程研究中心等。并与中电科58所、华润微电子、长电科技等30余家骨干企业建立了产学研创新合作机制。
江南大学党委副书记倪松涛为论坛致辞
江南大学党委副书记倪松涛为论坛致辞时表示，半导体产业关乎国家战略安全和数字经济未来。江南大学将持续立足无锡、服务长三角、辐射全国，充分发挥人才培养和科研创新优势，深度对接产业需求，深化产学研协同创新，全力助力先进封装技术自主化、产业化、规模化发展。
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA) 副理事长兼秘书长、中科院半导体研究所原副所长杨富华为论坛致辞
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA) 副理事长兼秘书长、中科院半导体研究所原副所长杨富华致辞时表示，近年来，我国半导体产业取得了长足的进步，在设计、制造、封测等环节都实现了重要突破。尤其在先进封装领域，国内企业和科研机构紧跟国际前沿，在先进封装多技术方向上不断探索，取得了一系列令人瞩目的成果。龙头企业在先进封装技术上持续深耕，实现了从跟跑到并跑的跨越，高校和科研院所不断突破关键核心技术，为产业发展提供了坚实的理论和技术支撑。产业链上下游协同创新的氛围日益浓厚，正逐步构建起自主可控的产业生态。但在高端封装设备和材料的国产化、部分核心技术、产业标准体系、人才培养、专业人才储备等方面，仍然面临挑战，需要业界共同面对，携手并肩，共同推动我国先进半导体封装技术的创新发展。
大会主席、江南大学集成电路学院院长顾晓峰
大会主席、江南大学集成电路学院院长顾晓峰表示，新兴领域崛起使全球半导体终端市场需求爆发，给先进封装产业带来机遇。第三代半导体材料与技术融合，推动行业创新，为国产化替代开辟空间。我国先进封装产业发展强劲，但面临依赖进口、产业链协同不足等瓶颈，技术突破与产业升级迫在眉睫，需各界协同攻坚。论坛对推动技术迭代、完善产业生态、加速国产替代有重要意义。希望以论坛为契机，深化产学研协同创新，攻克技术难题，完善产业链生态，助力产业转型升级，实现科技自立自强。也欢迎各界关注江南大学发展，深化校企合作。
后摩尔时代，封装革命进行时
随着摩尔定律推进趋缓，半导体产业将突破创新的焦点转向了超越单一工艺节点的“超越摩尔”领域。先进封装技术通过提升互连密度、优化系统架构、集成异构芯片，成为延续算力增长、满足多样化应用需求的战略路径。尤其是在电动汽车、人工智能、高性能计算、机器人及物联网等领域，对高功率密度、高可靠性、小型化及多功能集成的半导体产品提出了前所未有的要求。
开幕大会主旨报告环节，中国电子科技集团第五十八所预研中心主任、首席专家魏敬和，厦门云天半导体董事长、厦门大学教授于大全，上海交通大学电子信息与电气工程学院副院长周亮，江苏长电科技有限公司科学家杨程，西安交通大学电子学院教授，教育部重点实验室主任王宏兴，江南大学教授敖金平等重量级专家们领衔，带来六大前沿主旨报告，多维度探讨，勾勒出先进封装的最新进展与技术路径、市场应用前景，精彩纷呈。中国电子科技集团第五十八所原所长、集成电路与微系统全国重点实验室主任蔡树军和大会主席，江南大学集成电路学院院长顾晓峰共同主持了大会主旨报告环节。
中国电子科技集团第五十八所原所长、集成电路与微系统全国重点实验室主任蔡树军主持大会主旨报告环节
魏敬和
中国电子科技集团第五十八所预研中心主任、首席专家
芯粒异构集成技术是面向边端侧智能应用的核心使能技术，中国电子科技集团第五十八所预研中心主任、首席专家魏敬和做了“面向边端侧智能应用的芯粒异构集成技术”的主题报告，报告指出，AI芯片需求方兴未艾，推理场景逐渐成为“主战场”，边端侧推理芯片将成为AI普惠化、场景化和产业化落地的核心基础设施，是未来AI应用入口，产业赋能和生态竞争的关键制高点，将决定各国AI应用水平。在推理部署、模型适配和边端应用侧，国产芯片时机已现。DeepSeek等国产模型实践验证了“算法一硬件协同优化”路线的有效性，与国产算力卡深度适配;从数据中心服务验证走向边端垂直模型部署，国产推理芯片正在打开 AI芯片规模化应用窗口。
于大全
厦门云天半导体董事长、厦门大学教授
厦门云天半导体董事长、厦门大学教授于大全做了“玻璃通孔金属化进展”的主题报告，聚焦玻璃基板深孔金属化技术的前沿进展。结合厦门云天半导体的产业化实践，分享玻璃基板深孔金属化技术的最新研究进展、工艺优化路径以及良率提升方案等，为行业破解技术瓶颈提供思路。
周亮
上海交通大学电子信息与电气工程学院副院长
上海交通大学电子信息与电气工程学院副院长周亮做了“毫米波三维异构集成电路与系统”的主题报告，结合上海交大在毫米波技术与先进封装领域的科研成果，深入探讨微型化、轻量级、远距离和广角度探测的异质异构集成毫米波雷达、三维集成方法及其在远距离生命体征探测的应用，分享团队最新研究进展。
杨程
江苏长电科技有限公司科学家
江苏长电科技有限公司科学家杨程做了“从互联到微系统集成——芯片封装的演进”的主题报告，以头部封装企业的视角，深刻解读微系统集成发展演进及深远影响。
王宏兴
西安交通大学电子学院教授，教育部重点实验室主任
西安交通大学电子学院教授，教育部重点实验室主任王宏兴做了“金刚石材料的发展及其应用”的主题报告，系统性地介绍英寸级单晶金刚石外延生长、电子器件级高质量薄膜与掺杂、电子器件开发的国内外发展动态以及金刚石在散热领域的应用前景，以及西安交通大学宽禁带半导体金刚石材料与器件的研究成就。报告显示，当前英寸级单晶金刚石衬底已研制成功并投入生产，但研磨抛光、内部应力和位错密度等问题仍待进一步解决。可控p型掺杂和有效n型掺杂仍有待解决。基于氢终端金刚石的微波MOSFET及电力电子器件已开发完成并进入实用化阶段。
敖金平
江南大学教授
江南大学教授敖金平做了“氮化镓电子器件的研究与应用”的主题报告，报告指出，氮化镓是可以兼顾功率、耐压和速度的半导体。继快充头之后，氮化镓在中低压电源市场将占有一席之地，可望快速进入大数据中心服务器电源、车载半导体领域。在射频领域，包括微波毫米波通信和微波无线电能传输，氮化镓有绝对优势。微波远距离无线充电是人类百年的梦想，实现这一梦想为期不远。
除了重量级开幕大会，论坛技术与产业并举，16-17日精彩持续展开，“先进封装材料与热管理”、“ 先进封装工艺、产品及应用”、“先进基板、互联与可靠性”、“先进键合工艺与异质异构集成”等四大主题论坛，围绕相关领域的前沿热点、技术进展、应用、产业趋势等，汇聚产业链不同环节的精英嘉宾们，展开深入探讨分享交流，共议发展新态势。
论坛同期，特别设有先进半导体技术应用专业展区，聚焦第三代半导体产业链，提供一个交流合作的平台，推动资源高效对接，助力捕捉合作新机遇。辉龙科技、雷博微电子、通用半导体、昕感科技、珠海硅芯科技、陕西库仑电子等产业链代表性企业亮相，与业界同仁现场互动探讨，共促先进半导体封装技术与应用协同发展。
值得一提的是，江阴半导体产业已构筑起以先进封装为龙头、全产业链协同发展的坚实基础，构建起覆盖“设计—制造—封测—材料—装备”的完整产业链。近年来，重大项目加速落地，发展动能强劲。论坛期间，组委会将有序组织参会代表实地参观考察长电科技-通用半导体，实地观摩、近距离洞悉封装产业前沿工艺与规模化发展布局，深入发掘合作机会，共赢发展。
（会议内容详情，敬请关注半导体产业网、第三代半导体公号）
