2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）
2026年6月25-27日 | 中国·上海·上海临港凯悦酒店
当前，全球正处于能源结构转型与数字经济深度融合的关键时期。功率半导体器件与集成电路作为电能转换、信号调控的核心载体，在 “超越摩尔”技术演进路线中占据核心地位。二者不仅是支撑新能源汽车、AI 算力中心、储能系统、工业自动化等战略性新兴产业升级的 “工业粮食”，其技术突破与产业升级更直接关乎全球产业链供应链安全，以及能源利用效率革命的进程与成效。
从技术演进来看，功率半导体形成“硅基筑牢根基、宽禁带加速渗透、超宽禁带探索突破”的多层次发展格局。硅基器件作为产业基石，并未退出历史舞台，其在中低压、低成本场景中仍占据主导地位，同时通过超级结MOSFET、IGBT第七代技术迭代，持续提升能效与集成度，2026年全球硅基功率器件市场规模仍将保持10%以上增长，是工业控制、中低端新能源汽车等领域的核心支撑。在此基础上，行业加速向宽禁带材料迭代，形成碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）双线并行态势：SiC凭借高压、高温、高频特性，在电动车主驱逆变器、储能PCS系统中实现能效显着提升，器件效率较传统硅器件提升4.5%以上，储能系统能量损耗降低约60%；GaN则从消费电子快充领域向AI服务器电源、车载OBC等高端场景渗透，2026年非消费类应用占比将首次超过50%，推动电源系统功率密度提升50%以上。与此同时，以氧化镓（Ga₂O₃）为代表的超宽禁带器件成为行业研发热点，其在超高电压耐受、成本控制上具备独特优势，可广泛适配智能电网、航空航天等极端应用场景，尽管当前受散热性能不佳等瓶颈制约尚未实现规模化量产。
为更好的推动国内功率半导体及集成电路学术及产业交流，在第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA)指导下，中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业将于2026年6月25-27日在上海联合主办，“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)”，会议内容将涵盖以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料、高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等几大主题，将覆盖晶圆制造、芯片设计及加工、模块封装、测试分析、EDA软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。
一、组织机构（拟）
指导单位：
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
极智半导体产业网
第三代半导体产业
承办单位：
集成电路材料全国重点实验室
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
学术协办：
电子科技大学
南京邮电大学
大会主席：狄增峰
联合主席：张波、吴伟东、程新红、赵璐冰
程序委员会委员：陈敬、张进成、柏松、唐为华、罗小蓉、张清纯、龙世兵、王来利、杨媛、张宇昊、杨树、刘斯扬、欧欣、章文通、陈敦军、耿博、郭清、蔡志匡、梁瑶、刘雯、邓小川、魏进、周琦、周弘、叶怀宇、张龙、包琦龙、金锐、姚佳飞、蒋其梦、明鑫、周春华、郑理、沈玲燕等
组织委员会：
主任：郑理
副主任：涂长峰、周学通、徐光伟、刘盼、魏杰
委员：周峰、王珩宇、崔潆心、杨可萌、张珺、罗鹏、刘成、刘宇、张茂林、任开琳、王谦、张栋梁、刘晓博、王鹏、陈龙、李成、康俊杰、贾欣龙等
二、主题&征文方向
1.S1-硅基功率器件与集成技术
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术；
2.S2-碳化硅功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
3.G1-氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
4.G2-氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；
5.P1-模组封装与应用技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性；
6.P2-面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术、制造、封装、检测及测试设备等；
7.P3-功率器件交叉领域及EDA
基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试。
三、会议日程（拟）
四、部分嘉宾
五、拟邀参会单位
中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学、上海大学等
六、注册报名
1.注册及权益：注册费2800元，5月30日前注册报名2500元（含会议资料袋，12日午餐、欢迎晚宴、13日自助午餐及晚餐）。
对公汇款：
账户名称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
开户银行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
（通过微信/支付宝直接完成对公汇款）
2.在线报名
·扫码注册
扫码注册报名
·注册网址：（请复制链接至浏览器打开）https://forum.casicon.cn/e/4/checkout/create#order_form
·点击阅读原文：点击文末“阅读原文”直接跳转至→报名链接，完成报名。
七、联系咨询
1.论文投稿
·投稿截止4月10日。投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。
·投稿模板&摘要&海报要求附件下载： 
CSPSD2026_摘要要求及模板.doc
， CSPSD2026_POSTER制作要求.docx
， 
CSPSD2026_POSTER_sample_v1.pdf
2.投稿&报告咨询：
郑老师：15618636853，邮箱：zhengli@mail.sim.ac.cn
贾老师：18310277858，邮箱：jiaxl@casmita.com
李老师：18601994986，邮箱：linan@casmita.com
征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn
3.赞助、展示及商务合作
贾先生：18310277858，邮箱：jiaxl@casmita.com
张女士：13681329411，邮箱：zhangww@casmita.com
4.报名咨询：
芦老师：13601372457，邮箱：luli@casmita.com
沪上论道，芯向未来!
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