为促进化合物半导体领域人才培养与技术交流，搭建高校师生、科研人员与产业工程师的高水平学习平台，“MOCVD暑期讲习班”定于2026年7月25日至27日在内蒙古大学举办。讲习班将系统讲解材料体系、制备技术、器件设计及产业应用等核心内容，并邀请多位业界专家学者及企业家授课。欢迎相关领域人员踊跃报名。
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基本信息
时间：7月25日（周六）— 7月27日（周一）
地点：内蒙古大学内蒙古自治区呼和浩特市大学西街235号（北校区）
授课人数：150人（名额有限，报满即止）
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日程表
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专家介绍（报告顺序）
魏苏淮 宁波东方理工大学物理学院院长/讲席教授
报告题目《宽禁带半导体能带与缺陷调控第一性原理研究》
报告摘要：能带与缺陷调控是半导体物理研究最重要的组成部分。第一性原理半导体能带和缺陷计算暨半导体功能材料设计是计算半导体材料科学的最终目标之一。目前第一性原理电子能带结构理论的发展和计算能力的增加已经使我们能够通过计算半导体能带和缺陷，设计一些具有独特性质的电子，光电和能源材料。这种方法已成为加速半导体材料发现的重要工具。在这次讲座中，我将简要回顾一下半导体能带和缺陷计算的进展。我也将选择我们最近的一些研究课题，说明如何使用第一性原理能带和缺陷计算来理解和设计宽禁带半导体功能材料。报告人简介魏苏淮教授现任宁波东方理工大学讲席教授、物理学院院长，美国物理学会会士（APS Fellow），美国材料研究学会会士（MRS Fellow）。1981年本科毕业于复旦大学并通过CUSPEA项目去美国留学，1985年在美国威廉玛丽学院取得理学博士学位，1985年-2015年在美国可再生能源国家实验室(NREL)工作，2015年回国前担任NREL理论研究室主任，实验室Fellow，2015年-2024年任北京计算科学研究中心讲席教授、材料与能源研究部主任。在半导体能带理论、缺陷与合金物理、光电与能源材料等方面取得了系统的原创性成果。已发表SCI论文600余篇，包括80篇PRL。论文引用大于90000多次，H因子144。
张紫辉 广东工业大学百人计划特聘教授
报告题目《GaN半导体器件仿真建模》
报告摘要GaN半导体器件在显示、通信及国防等领域应用广泛，是国际半导体研究的持续前沿和热点。然而高性能GaN半导体器件受界面势垒、载流子/光子输运精准调控、缺陷诱导非辐射复合等瓶颈制约；而器件物理与仿真建模是突破瓶颈、连接材料与器件性能的核心支撑；本报告围绕高性能GaN半导体器件仿真建模的核心基础物理问题开展研究，探索载流子输运、光子输运调控、电场调控过程中的物理仿真建模方法；通过结合TCAD仿真建模和器件工艺，研制高效率GaN光电子器件和功率半导体器件。报告人简介2006 年毕业于山东大学，获理学学士学位； 2015 年于新加坡南洋理工大学从事 GaN 基蓝光 LED 关键技术研究，并获得博士学位。2015 年回国后，长期聚焦GaN、AlGaN半导体器件方向，围绕器件物理、仿真技术开发和器件研制开展系统性研究工作；入选省级重大人才项目，现任广东工业大学 “百人计划” 特聘教授、博士生导师。作为第一作者/通讯作者在Light：Science & Applications 、Laser & Photonics Reviews、Applied Physics Letters 、IEEE Electron Device Letters等学术期刊发表科研论文180多篇，研究成果被包括业内主流团队引用4000多次，单篇最高引用120次；多次被Semiconductor Today等国际科技媒体刊物跟踪专题报道；授权发明专利45项，其中5项成果完成转化。联合国内企业，开展国产自主化仿真技术研究，仿真技术支撑了京东方、中电集团等高科技企业半导体技术的发展。主持和完成国家自然科学基金委青年基金项目、面上项目和区域创新发展联合基金重点项目、国防科工局722项目工程任务、“十三五”和“十四五”重点研发计划子课题项目、广东省基础与应用基础研究重大项目、河北省百人计划项目、河北省优秀青年基金项目和天津市重点研发计划等课题21项目，承担经费总额1800多万元。担任中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会委员、《发光学报》青年编委、《半导体技术》青年编委、《Electronic Materials》编委、天津市教委集成电路产业链教指委专家。曾获得2023年中国产学研合作创新奖、Wiley优秀创新奖，连续入选2023年、2024年全球前2%顶尖科学家榜单。
马晓华 西安电子科技大学集成电路学部执行主任/宽禁带半导体国家工程中心主任
报告题目《宽禁带半导体射频功率芯片的研究现状及发展趋势》
报告摘要 氮化镓射频功率芯片凭借宽禁带优势，成为微波通信、雷达领域核心器件。本文梳理材料外延、器件结构、封装散热等关键技术研究进展，分析现阶段器件效率、可靠性存在的瓶颈；结合 5G/6G、相控阵雷达应用需求，展望大尺寸外延、集成化、高可靠低成本氮化镓射频芯片发展方向，为后续研发提供参考。报告人简介马晓华西安电子科技大学集成电路学部执行主任、宽禁带半导体技术国家工程研究中心主任，国家级领军人才，全国先进工作者。长期从事微电子学与固体电子学领域的科学研究、技术攻关与高层次人才培养，主要研究方向涵盖第三代半导体材料与器件、微波毫米波半导体器件、集成电路新型器件与新材料等。带领团队在相关领域取得系统性、原创性创新成果，授权国家发明专利 200 余项，以第一完成人荣获2023 年度国家科学技术进步奖一等奖。
梁剑波 国家第三代半导体技术创新中心(苏州)/江苏第三代半导体研究院有限公司 先进键合研发中心首席科学家/主任
报告题目《从MOCVD到先进异质集成：第三代半导体技术前沿》
报告摘要 随着人工智能、6G通信、新能源汽车和高性能计算的快速发展，第三代半导体正成为支撑未来信息产业和能源产业的重要基础。MOCVD作为GaN、AlN等关键材料外延生长的核心装备，为高性能射频器件、功率器件和光电子器件的发展奠定了基础。然而，随着器件性能逐渐逼近材料极限，异质集成技术正成为突破功耗墙、热管理瓶颈和系统集成限制的重要途径。本报告将围绕第三代半导体技术的发展趋势，从MOCVD外延生长技术出发，介绍GaN、AlN、SiC及金刚石等关键材料的发展现状，重点探讨常温直接键合、晶圆级异质集成及先进封装等前沿技术。结合金刚石基GaN、高导热复合衬底及三维异质集成等典型案例，分享材料生长、界面工程与装备开发的最新进展，并展望第三代半导体从外延材料到先进集成的发展方向。报告人简介梁剑波，博士，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、江苏第三代半导体研究院有限公司先进键合研发中心首席科学家及主任，苏州晶和半导体科技有限公司董事长兼总工程师。长期从事半导体异质集成、先进封装及常温直接键合技术研究，拥有17年以上相关研发经验。曾任大阪公立大学教授、日本科学技术振兴机构（JST）特别研究员，并于2023年入选国家高层次人才。梁剑波博士在半导体与金刚石常温直接键合领域取得多项原创性成果，全球首次实现多种半导体材料与金刚石的常温直接键合，在金刚石基GaN、高功率器件热管理及异质集成技术方面形成了国际领先优势。主持和参与国家重点研发项目及产业化项目十余项，发表学术论文150余篇，授权专利12项。当前主要致力于第三代半导体异质集成、金刚石基GaN晶圆及超高真空常温键合装备的研发与产业化工作。
沈波 北京大学 理学部副主任/博雅特聘教授/宽禁带半导体研究中心主任
报告题目《GaN基功率/射频电子材料的外延生长与缺陷研究》
报告摘要 本报告聚焦面向GaN基功率电子及射频电子器件的异质结构材料体系，系统阐述其基本特性、国内外研究现状与发展趋势，并汇报本课题组近年来的重要进展。报告围绕以下三个方面展开：（1）GaN薄膜及其异质结构的MOCVD外延生长；（2）GaN材料中杂质点缺陷的研究；（3）GaN材料中原子尺度位错运动规律的研究。报告人简介沈波，日本东北大学博士、东京大学博士后。现为北京大学博雅特聘教授、理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、长江学者、杰青、基金委创新研究群体带头人。曾任国家973计划项目首席科学家、863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长。现为国家十四五计划“新型显示和战略性先进电子材料”重点研发计划总体专家组副组长兼第三代半导体方向组长，并担任国家第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长。长期从事宽禁带半导体研究，在GaN基材料MOCVD外延生长、GaN基射频和功率电子器件、AlGaN基深紫外发光材料和器件等方面取得了在国内外同行中有一定影响的研究成果。发表SCI论文400多篇，出版中英文专著4部，获得/申请国家发明专利80多件，先后与华为、京东方、彩虹集团等开展合作, 部分成果实现了产业化应用。先后获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖和多项省部级奖项。
郭世平 中微半导体设备股份有限公司集团副总裁
报告题目《MOCVD设备技术现状、发展趋势及其应用》
报告摘要 MOCVD技术是支撑现代光电子与微电子产业的核心技术之一，是氮化镓基及砷化镓基化合物半导体材料外延生长的最主要方法，直接推动了半导体照明、Mini/Micro LED显示、5G射频通信、手机快充、高效率太阳能电池、激光器等半导体器件的产业化发展。当前，MOCVD技术已进入成熟发展阶段，其技术进步主要体现在三个方面：一是反应腔体设计持续优化，旨在提升温度与气流的均匀性，从而保证外延片的高一致性与良率；二是原位实时监测与控制技术广泛应用，实现了生长过程的精确调控；三是自动化与智能化水平显著提升，通过数据驱动优化工艺与运维。未来随着3D显示、高速光互联及算力数据中心等领域的应用拓展，大尺寸规模化生产的成本效益将逐步显现，并引领行业。报告人简介郭世平博士现任中微半导体设备股份有限公司集团副总裁兼MOCVD产品部总经理，主要负责公司MOCVD设备的技术开发和管理工作，过去几年他成功主导了公司具有自主知识产权的几代MOCVD设备研发。 他有超过30年化合物半导体材料外延生长研究及设备研发经验，已发表一百多篇论文并拥有三十多项专利，国家十四五重点研发计划 “Micro-LED 用新型 MOCVD 技术”项目负责人。他于1994年在中科院上海技术物理研究所博士毕业并留所工作， 1996-2001年赴日本国立東北大学和美国纽约市立大学从事博士后研究工作。2001-2012年先后在美国EMCORE公司和IQE-RF公司工作。
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报名须知
报名方式：扫描二维码进行报名，审核通过根据确认短信或邮件相关信息进行缴费。
MOCVD暑期讲习班报名二维码
报名费用：800元/人
费用明细：含课程费、26日午/晚餐及27日午餐
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住宿指引
酒店火爆、订完即止，价格会有较大波动，请确认行程、提前预订。
香江大酒店房间价格：标准间/大床房260元（含双早）距离：距内蒙古大学北校区299米。联系人：李经理15661063600
福蒙佳酒店房间价格：标准间/大床房260元（含双早）距离：距内蒙古大学北校区492米。联系人：张经理18947161243
万悦年华酒店房间价格：标准间/大床房220元（含双早）距离：距内蒙古大学北校区659米。联系人：李经理13190555886
春雪四季酒店房间价格：标准间/大床房320元（含双早）距离：距内蒙古大学北校区990米。联系人：栾经理18204718626
开元名都大酒店房间价格：标准间/大床房450元（含双早）距离：距内蒙古大学北校区1.3公里。联系人：董经理13624719535
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会务联系
张老师：18814090074，hszhang@imu.edu.cn
王老师：18843146921，ywang2023@iasemi.cn
欢迎大家踊跃报名！
欢迎大家关注同期7月27-29日第十九届全国MOCVD学术会议，更多报名信息请关注官网：http://www.nctias.cn/12
